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绪论

　　1.1 课题的背景及意义
　　自从1958年集成电路诞生以来，已经历了小规模集成（SSI）、中规模集成（MSI）、大规模集成（LSI）的发展阶段，目前已进入超大规模集成（VLSI）和特大规模集成（ULSI）阶段，是一个“System on Chip”的时代。以最普遍的个人计算机微处理（如“X86”）为例，第一代16位的8086芯片中，共容纳了约2.8万个晶体管，到了32位以上586计算机微处理器（如“奔腾”），芯片内的晶体管元件数目已经高达500万以上。

　　根据一般划分，当半导体工艺的最小特征尺寸小于1微米时，称之为亚微米设计技术，当最小特征尺寸小于0.5微米时，称之为深亚微米设计技术(DSM：Deep Sub Micrometer)，而当进一步小于0.25微米时，可称之为超深亚微米设计技术(VDSM：Very Deep Sub Micrometer) 。

　　现在国外商业化半导体芯片制造技术的主流已经达到0.25微米、0.18微米的线宽，利用该技术可制作256Mb的DRAM和600MHZ的微处理器芯片，每片上集成的晶体管数在108~109量级。预计今后的发展的趋势是0.09微米以下，即集成电路已进入超深亚微米工艺时代[1]。

　　1.1.1 国内外相关技术的研究及发展现状
　　1．国外的发展现状

　　IBM Microelectronics公司的工程师John Cohn表示，衬底耦合、电容耦合和互感都不是大问题，而对信号完整性影响最大的是通过电源线耦合的噪声，这种噪声在130纳米设计中日趋成为一个问题，而且很难分析和处理。Cohn声称：“通过电网的串联RL耦合非常麻烦，在0.25微米工艺下根本没有这一问题，在0.18微米工艺下可能只有一两个个别情况出现问题。但是在当前的0.13微米工艺下，一个设计中几十个或几百个网络受到这方面影响的情况并不少见。” 信号完整性问题应该在下述环节中着重强调，包括电路设计，布局布线和模拟。