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论文关键词 信号完整性电迁移 天线效应 电压降落 串扰

　　论文摘要：随着深亚微米工艺的发展，影响信号完整性的因素如电迁移，天线效应，电压降落，串扰等逐渐显现出来，由于这些因素影响了芯片的信号完整性，导致电路性能的大幅下降，甚至使电路失效。因此对这些影响信号完整性因素的分析和解决是非常必要的。

　　由于芯片功耗的不断增加，互连线上的电流密度也越来越大，有可能造成了细线上的电迁移现象。在芯片制造过程中晶体管的栅极聚集的电荷可能会使栅击穿即产生天线效应。互连线间的耦合电容的存在会导致一条线上的信号跳变时引起另一条线的信号稳定性，即发生串扰现象。

　　在本文中，我们不仅分析和总结了电迁移，天线效应，电压降落，串扰这几个影响信号完整性的因素，还着重对电压降落问题进行了重点分析。随着功耗的增加和电源电压的降低，电压降落变得越来越严重。我们把寄生电阻对电压的影响进行了仿真，器件模型采用TSMC的器件模型库，最后用CADENCE的SPECTRES电路模拟程序对电路进行瞬态分析。同时为了与不考虑寄生电阻的情况作对比我们也对理想的情况做了模拟，然后把二者的结果进行对比，分析电压降落对电路性能的影响。